GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
中文名称：氮化镓[1]
英文名称：gallium(iii) nitride
英文别名：Gallium nitride; nitridogallium; gallium nitrogen(-3) anion
CAS号：25617-97-4
EINECS号：247-129-0
分子式：GaN
分子量：83.7297
熔点：800℃
GaN材料的优点与长处
①禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强；
②导带底在Γ点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）；
③GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG（因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素）；
④晶格对称性比较低（为六方纤锌矿结构或四方亚稳的闪锌矿结构），具有很强的压电性（非中心对称所致）和铁电性（沿六方c轴自发极化）：在异质结界面附近产生很强的压电极化（极化电场达2MV/cm）和自发极化（极化电场达3MV/cm），感生出极高密度的界面电荷，强烈调制了异质结的能带结构，加强了对2-DEG的二维空间限制，从而提高了2-DEG的面密度（在AlGaN/GaN异质结中可达到1013/cm2，这比AlGaAs/GaAs异质结中的高一个数量级），这对器件工作很有意义。
总之，从整体来看，GaN的优点弥补了其缺点，特别是通过异质结的作用，其有效输运性能并不亚于GaAs，而制作微波功率器件的效果（微波输出功率密度上）还往往要远优于现有的一切半导体材料。
进口纳米级抛光液：
主要由高纯度的胶态氧化硅微粒所组成，可避免加工元件产生刮伤的现象，特别用于特别适用于各种电子材料、光学晶体、半导体等抛光。
型号 | 平均粒径(NM) | Sio2含量(%) | PH值 | 比重 | 密度(g/ml) | 稀释比例 | |
|
50 | 40.0 | 40 | 10.2 | 1.30 | 1. 15±0.05 | <1:1~20 | |
80 | 72.0 | 40 | 10.2 | 1.30 | 1. 15±0.05 | <1:1~20 | |
100 | 100 | 40-41 | 10.5-11 | 1.5 | 1.20±0.05 | <1:1~20 | |
去除率：2-5um/小时
包装规格：20KG/桶 、25KG/桶
储存方式：存放温度为5℃-35℃，避免阳光照射；
保质期限：碱性抛光液保质期为一年。
纳米级研磨液应用领域：
1.氮化镓等半导体材料
2.LED蓝宝石衬底，表镜片，晶体，宝石
3.光学镜片，光学玻璃，石英
4.磁头，硬盘
5.光纤以及光伏企业